반도체 장비 PC제어 기초

Process Chamber(Module)

반도체 제조 공정에서 **Process Chamber(프로세스 챔버)**는 웨이퍼 위에 정밀한 박막을 형성하거나, 특정 패턴을 식각하는 등 핵심 공정을 수행하는 장치입니다. CVD, ALD, Etcher 등 공정에 따라 형태는 다르지만, 그 내부 구성은 공통적인 핵심 하드웨어로 구성되어 있습니다. 본 글에서는 반도체 진공장비에서 Process Chamber의 하드웨어 구성요소와 기능을 설명합니다. 1. Process Chamber(Module)란 무엇인가?Process Chamber는 웨이퍼를 처리하는 실제 공간이며, 다양한 가스, 플라즈마, 열, 진공 환경이 정밀하게 제어되는 공간입니다. 공정에 따라:CVD (Chemical Vapor Deposition): 화학 반응으로 박막을 증착ALD (Atomi..

질량유량제어기 - MFC(Mass Flow Controller)

1. MFC란 무엇인가?MFC(Mass Flow Controller)는 ‘질량 유량 제어기’로 번역되며, 특정 가스의 흐름을 정밀하게 조절하는 장치입니다. 반도체 장비뿐만 아니라 디스플레이, 화학, 바이오, 에너지 산업에서도 폭넓게 사용됩니다. 특히 반도체에서는 수십 종의 가스를 나노 단위까지 제어해야 하기 때문에 MFC의 정확도와 반응 속도는 공정 품질에 직결됩니다. 2. 반도체 공정에서 MFC의 역할반도체 공정은 다양한 가스를 이용해 증착(CVD), 식각(Etch), 세정, 도핑 등 고도의 화학 반응을 유도합니다. 이때 가스의 유량을 일정하게 유지하지 못하면, 웨이퍼의 두께 불균일, 식각 손상, 수율 저하 같은 문제가 발생합니다. MFC는 이러한 공정 내 가스 흐름을 실시간으로 감지하고, 설정값에 맞..

Throttle Valve Pressure Controller란 무엇인가?반도체 제조 공정에서 ‘진공’은 절대적으로 필요한 공정 환경입니다. 특히 CVD, Etch, ALD 같은 고정밀 공정에서는 챔버 압력을 미세 단위로 정밀하게 제어해야 하며, 이 핵심 역할을 수행하는 장치가 바로 **Throttle Valve Pressure Controller(스로틀 밸브 압력 제어기)**입니다.Throttle Valve는 챔버와 진공 펌프 사이에 설치되어 있으며, 챔버 내부의 압력(Feedback Pressure)을 실시간으로 감지하고, PID 알고리즘 기반의 컨트롤러가 목표값(Set Point)과 비교하여 적절한 개도를 유지시킵니다.단순히 밸브를 여닫는 것이 아닌, 압력 센서 → 컨트롤러 → 액추에이터로 이어지는..

반도체 진공챔버, 왜 압력 제어가 중요한가?반도체 제조공정에서 '진공챔버(Vacuum Chamber)'는 공정의 정밀도를 좌우하는 가장 중요한 구성요소 중 하나입니다. 수십 나노미터 수준의 패턴을 형성해야 하는 극한의 정밀 환경에서, 공기 분자조차 공정에 치명적인 오염원이 될 수 있기 때문입니다.이러한 이유로 진공챔버는 '압력'이라는 물리적 조건을 정밀하게 제어해야 하며, 그 핵심이 바로 **Pumping (진공 형성)**과 Venting (진공 해제) 시퀀스입니다. 이 글에서는 반도체 장비에서 일반적으로 사용되는 진공챔버의 Pumping & Venting 시퀀스를, 엔지니어와 오퍼레이터 모두가 이해할 수 있도록 구체적인 단계와 장비 작동 원리까지 풀어 설명합니다. 진공챔버의 기본 구조 이해진공챔버는 다..